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新型二次元材料半導体量子トランジスタ、中日が共同開発2017年10月27日

 中国科学技術大学の郭国平教授の研究チームは、日本国立材料研究所などの学者と協力し、世界で初めて半導体柔軟性二次元材料内で100%電気制御可能な量子ドット構造を実現した。この新型半導体量子トランジスタは、柔軟性量子チップの開発に新たな手段を提供した。世界的に権威ある米科学誌「サイエンス・アドバンシズ」に、この成果が掲載された。

 彼らは現代的半導体加工手段を用い、窒化ホウ素パッケージング技術と結びつけることで、量子ドット構造内の異物と欠陥を効果的に減らし、この材料内で初めて100%電気制御可能なデュアル量子ドット構造を実現した。極端な低温環境下、電極と電圧を通じ、人造原子の人造分子への電気制御及び調整を実現した。

 同研究は二酸化モリブデンの短距離欠陥と、スピン軌道カップリングの電気輸送性質への影響を示し、半導体量子チップに応用する可能性を探究しており、量子電子学において高い将来性を持つと見られている。


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